骁龙835
凤凰科技讯 11月17日消息，Qualcomm高通今天宣布其最新旗舰芯片将采用三星10纳米FinFET制程工艺打造。搭载这一处理器的终端产品将于明年上半年出货。
高通方面表示，全新10纳米制程节点的采用，在提高骁龙835处理器性能的同时，将带来更低的功耗，同时还能增加诸多全新功能。
今年10月，三星宣布率先在业界实现了10纳米FinFET工艺的量产。与其上一代14纳米FinFET工艺相比，三星10纳米工艺可以在减少高达30%的芯片尺寸的基础上，同时实现性能提升27%或高达40%的功耗降低。
除了性能提升，骁龙835还支持最新的高通Quick Charge 4.0，它比此前的3.0标准又快了20%，只需15分钟，就能充满手机一半电量。
骁龙835作为820和821的后续产品，目前已经投入生产，预计搭载骁龙835的商用终端将于2017年上半年出货，
而三星方面，按照以往的经验来看，预计会在明年三月份的MWC展会上推出新一代的旗舰Galaxy S8，从近期该机的曝光消息来看，S8将有望首发搭载骁龙835处理器。（文：刘正伟吕文生）